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Infineon - IPB180N03S4LH0ATMA1 - MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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Artikelmerkmale

Zustand:

Neu

GTIN / EAN:

4064164011018

Marke:

Infineon

Hersteller Nr.:

IPB180N03S4LH0ATMA1

Kurzbeschreibung

Montageart: SMD/SMT Verpackung/Gehäuse: TO-263-7 Anzahl der Kanäle: 1 Channel Transistorpolung: N-Channel Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 40 V Id - Drain-Gleichstrom: 180 A Rds On - Drain-Source-Widerstand: 1.1 mOhms Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2 V Vgs - Gate-Source-Spannung: 20 V Qg - Gate-Ladung: 176 nC Minimale Betriebstemperatur: - 55 C Maximale Betriebstemperatur: + 175 C Pd - Verlustleistung: 188 W

Artikelbeschreibung anzeigen

Artikel Nr.: 0089325331

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